An analytical model for the steady-state and transient characteristics of the power insulated-gate bipolar transistor 這篇文章找了幾個(gè)數(shù)據(jù)庫(kù)，只在Scopus上有找到，不過(guò)好像不能下載。
發(fā)布者：系統(tǒng)管理員發(fā)布時(shí)間：2019-09-17瀏覽次數(shù)：4523
該文獻(xiàn)所在期刊Solid-State Electronics收錄在Elsevier 數(shù)據(jù)庫(kù)中，但1995年以前的文獻(xiàn)沒有全文權(quán)限。不過(guò)玉泉校區(qū)圖書館和西溪校區(qū)圖書館都有1988年的印刷版，可用前去查閱復(fù)印。
